内部集成等效45mΩ的先进功率MOSFET
内部集成RC (无需任何外围器件)
超小封装SOT-23-5L
过温保护OTP
充电过电流保护IIOCC
过放不可自恢复功能
三段过流保护
- 放电过流保护1 IIOV1
- 放电过流保护2 IIOV2
- 负载短路保护ISHORT
充电器检测功能
0V 禁止充电
延迟时间内部设定
防反接功能
高ESD 可靠性能力
高精度电压检测
- 常规精度:±50mV
低静态电流
- 正常工作电流:3.0μA
- 待机电流: <0.1uA
兼容ROHS 和无铅标准
文档名称 | 文档描述 | 下载 |
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WSDY16B1N2NB_datasheet_A0 | 195KB |